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中微公司一次性发布六款新型半导体制造设备，涵盖等离子体刻蚀、原子层沉积及外延三大关键工艺，标志着国产半导体设备在高端技术领域实现重大突破。此次发布的设备包括等离子体刻蚀设备Primo UD-RIE、Primo Menova 12寸ICP单腔刻蚀设备、Primo Twin-Star ICP双反应台刻蚀机；原子层沉积设备Preforma Uniflash金属栅系列与Preforma Uniflex HW/AW系列；以及外延设备PRIMIO Epita RP双腔减压外延设备。这些设备在技术精度、生产效率及工艺兼容性上均达到国际先进水平，部分指标超越国际巨头。
Primo UD-RIE等离子体刻蚀设备配备六个单反应台反应腔，采用更低频率、更大功率的射频偏压电源，提供更高离子轰击能量，满足极高深宽比刻蚀需求，集成动态边缘阻抗调节系统、上电极多区温控系统及主动控温边缘组件，显著提升晶圆边缘深孔刻蚀垂直性与良率，适用于先进存储芯片生产。Primo Menova 12寸ICP单腔刻蚀设备专注金属刻蚀领域，擅长铝线、铝块刻蚀，广泛适用于功率半导体、存储器件及先进逻辑芯片制造，其卓越的刻蚀均一性实现高速率、高选择比及低底层介质损伤，高效腔体清洁工艺减少污染，延长设备运行时间，主刻蚀腔体与除胶腔体可灵活组合，满足高负荷生产需求。Primo Twin-Star ICP双反应台刻蚀机通过提升反应台间气体控制精度，实现0.2Å亚埃级刻蚀精度，在氧化硅、氮化硅和多晶硅等关键材料上验证成功，接近硅原子直径的十分之一，满足先进制程对均匀性和重复性的严苛要求。
原子层沉积设备方面，Preforma Uniflash金属栅系列涵盖TiN、TiAl、TaN三大品类，采用独创双反应台设计，可配置多达五个双反应台反应腔，实现业界领先生产效率，搭载多级匀气混气系统、模型算法加热系统及高效流导设计，在薄膜均一性、污染物控制能力及生产效率上达到世界先进水平，满足先进逻辑与存储器件金属栅应用需求。Preforma Uniflex HW/AW系列针对高深宽比金属钨沉积及三维填充需求，采用自主知识产权的生长梯度抑制工艺及高速气体切换控制系统，实现原子级别精准生长，具备优异台阶覆盖率和低杂质浓度，适用于复杂结构金属钨填充。
外延设备PRIMIO Epita RP双腔减压外延设备为全球首款双腔设计外延减压设备，反应腔体积全球最小，可配置多至6个反应腔，显著降低生产成本与化学品消耗，提升生产效率，通过双腔设计、多层独立控制气体分区及多径向调节温场温控设计，实现优秀流场与温场均匀性，兼容从成熟到先进节点的逻辑、存储、功率器件等多领域外延工艺需求。
此次设备发布直接对标国际巨头，加速国产化进程，2025年国产设备商拿单金额预计达720亿元，在总投资中占比提升至24%至25%，国产化进程显著提速。中微公司通过持续研发投入，2025年上半年研发投入达14.92亿元，同比增长53.70%，加速新品产出速度，从单一设备供应商向综合解决方案提供商转型，提升客户粘性与市场竞争力，助力国内半导体产业链突破高端设备“卡脖子”环节。然而，新品尚处于市场导入初期，存在市场推广和客户验证等风险，可能对公司收入和盈利带来不确定性；同时，半导体设备核心零部件仍依赖进口，高研发投入短期影响利润，需持续推进核心零部件国产化；尽管国产设备性能提升，但部分客户仍选择采购海外设备，国产化进程需时间推进，需持续加强技术研发与市场拓展。
