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中芯国际成功测试国产深紫外(DUV)光刻机
中芯国际成功测试国产深紫外(DUV)光刻机并实现7纳米级别芯片制造能力,这一突破标志着中国在半导体核心设备国产化领域迈出关…
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日本新创公司 Rapidus 在官网发布《2 nm 半导体挑战:探索 Rapidus 的技术突破》
日本新创公司Rapidus在2nm芯片研发领域取得显著进展,其技术突破与战略布局正引发全球半导体产业关注。根据官方披露及行业分析…
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国内首条单晶纳米铜生产线在温州平阳投产,实现关键封装材料国产化
国内首条单晶纳米铜生产线于2021年10月2日在温州平阳正式投产,标志着我国在半导体封装关键材料领域实现重大技术突破,有效突破…
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复旦大学团队在《自然》上发表《全功能二维‑硅基混合架构闪存芯片》
复旦大学周鹏-刘春森团队在《自然》(Nature)发表的《全功能二维-硅基混合架构闪存芯片》研究成果,标志着全球半导体存储技术…
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华为公布的四款新一代昇腾 AI 芯片,目标降低对国外高端芯片的依赖
华为近日公布四款新一代昇腾AI芯片——950、950PR、960及970系列,计划于2026年至2028年陆续上市,这一布局标志着中国在高端AI芯…
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新思科技通过收购 Ansys,推出基于数字孪生和 AI 智能体的芯片设计平台
新思科技收购Ansys并推出基于数字孪生与AI智能体的芯片设计平台,是半导体行业技术融合与产业升级的关键举措,其核心价值在于通…
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高通最新 Snapdragon 8 Elite SoC 采用第二代 Oryon CPU 与 Hexagon NPU,单核性能提升 40 %
高通最新发布的Snapdragon 8 Elite SoC通过集成第二代Oryon CPU与Hexagon NPU,在端侧计算领域实现了显著的技术突破与性能提升…
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澜起科技自研的 PCIe 5.0/CXL 2.0 Retimer 已量产
澜起科技在高速互联芯片领域实现关键突破,其自研的PCIe 5.0/CXL 2.0 Retimer芯片已正式量产,该芯片通过信号重定时技术有效解…
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中微公司一次性发布 6 款新型半导体制造设备
中微公司一次性发布六款新型半导体制造设备,涵盖等离子体刻蚀、原子层沉积及外延三大关键工艺,标志着国产半导体设备在高端技…
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英伟达推出 Spectrum‑XGS 以太网技术
英伟达正式发布Spectrum-XGS以太网技术,标志着全球AI算力基础设施正式迈入“跨区域扩展”新纪元。该技术通过革命性的跨区域扩展…
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微软发布的 Majorana 1 量子芯片采用砷化铟与铝工艺
微软正式发布全球首款基于拓扑量子比特架构的Majorana 1量子芯片,标志着量子计算领域正式迈入以拓扑保护为核心的第三代技术时…
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AI大模型的算力需求持续攀升,预计2027年AI芯片市场规模将突破480亿美元
AI大模型的算力需求持续攀升,正推动硬件产业链发生深刻变革。根据市场预测,2027年AI芯片市场规模将突破480亿美元,这一增长背…
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光刻机、光刻胶、真空系统等关键材料国产化率已从个位数提升至30%‑80%之间
光刻机、光刻胶、真空系统等关键材料国产化率显著提升,已从个位数跃升至30%-80%区间,具体表现为:光刻机领域,2025年国产化率…
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“N+2”工艺在2025年实现 7 nm 量产(麒麟9020芯片已在华为Pura 80系列亮相)
中芯国际N+2工艺在2025年实现7nm量产,麒麟9020芯片已搭载于华为Pura 80系列并完成系统级性能验证。该工艺通过自对准四重图形刻…
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中芯国际实现 14 nm 量产,N+1工艺已接近 7 nm 水平
中芯国际在先进制程领域实现显著突破,其14nm FinFET技术于2019年第四季度量产,成为全球第四家掌握该技术的晶圆厂,截至2025年…
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澳大利亚团队利用量子机器学习研制出全球首个量子技术半导体
澳大利亚联邦科学与工业研究组织(CSIRO)与墨尔本大学、北京大学等机构的研究人员合作,在量子机器学习半导体领域取得了突破性…
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LPDDR4X供给紧张推升价格,智能手机产业加速导入LPDDR5X
从供给端来看,LPDDR4X的紧张局面源于多重因素叠加:封装基板交付周期延长至20周以上,因CoWoS先进封装需求挤占消费类基材资源…
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全球半导体材料市场预计2025年规模达700亿美元,2029年将超870亿美元
全球半导体材料市场正处于快速扩张期,预计2025年规模达700亿美元,2029年将突破870亿美元,年均复合增长率(CAGR)约4.5%-5.7%…