鲁智芯 莫斯科，2025年4月25日——面对全球半导体产业格局的深刻变革，俄罗斯正式宣布全面加速28纳米制程芯片的国产化进程，旨在打破国际技术封锁，构建自主可控的半导体产业链。此举标志着俄罗斯在关键技术领域实现自主创新的战略决心，对保障国家信息安全和推动科技主权具有里程碑意义。
自2022年俄乌冲突爆发以来，国际半导体供应链对俄制裁持续升级，先进芯片出口限制直接冲击俄罗斯高科技产业发展。在此背景下，俄罗斯科技企业MCST明确提出，到2030年将实现基于SPARC架构的Elbrus处理器国产化量产，彻底摆脱对x86与Arm架构的技术依赖。这一战略调整不仅是对外部制裁的回应，更是俄罗斯构建自主技术生态体系的长期布局。
2025-2028年以本土研发的350纳米光刻机为基础，率先在成熟制程领域实现芯片自主生产。目前，俄罗斯已成功开发出可量产350纳米芯片的光刻设备，并计划于2026年突破130纳米工艺节点，为后续技术升级奠定基础。
2028-2030年在本土晶圆厂部署28纳米制程技术，重点满足政府、能源、电信等关键领域对中端CPU的需求。MCST预计，其自主研发的Elbrus-8CB处理器将在此期间实现规模化应用，性能指标可对标国际主流中端芯片，显著提升国产化芯片的市场竞争力。
为打破技术封锁，俄罗斯正从底层架构到上层应用进行系统性重构，MCST的Elbrus处理器采用SPARC指令集，俄罗斯正通过政府项目推动国产CPU与Astra Linux、Alt Linux等操作系统的深度整合，构建自主可控的软件生态系统，针对SPARC架构开发人才短缺问题，俄罗斯通过高校开设专项课程、设立半导体人才基金等方式，计划在5-8年内培养万名专业工程师，为产业链可持续发展提供人才保障。
全球半导体产业已进入5纳米/3纳米时代，俄罗斯28纳米量产计划比国际领先水平滞后约15年。为弥补差距，俄罗斯通过自主研发与灰色渠道获取相结合的方式，加速技术迭代，从x86/Arm向SPARC架构迁移需重构百万行代码，涉及数据库、虚拟化平台等核心系统的适配。俄罗斯正通过政府引导、企业协作等方式，逐步解决生态兼容问题，面对日本断供光刻胶、荷兰限制EUV设备出口等制裁措施，俄罗斯通过白俄罗斯、中国等渠道获取技术支持，同时探索RISC-V开源指令集等备选方案，降低技术封锁风险。
俄罗斯的芯片国产化战略，是地缘政治博弈下的技术突围战，也是维护国家技术主权的必然选择。尽管面临诸多挑战，俄罗斯正以坚定的决心和务实的策略，推动半导体产业自主可控发展。