美国宣布首个CHIPS研发旗舰设施选址，加速半导体技术创新

早在上个月末，也就是10月31日，美国商务部与国家半导体技术中心（NSTC）的运营商Natcast共同宣布了一个重大消息：美国首个CHIPS研发（R&D）旗舰设施——极紫外（EUV）加速器CHIPS，预计将在纽约州奥尔巴尼的NY CREATES奥尔巴尼纳米技术综合体内投入运营。

这一决定得到了拟议的8.25亿美元联邦投资的支持，标志着美国在加强半导体供应链、加速前沿研发以及创造优质就业机会方面迈出了重要一步。

作为拜登总统投资美国议程的关键组成部分，CHIPS for America计划旨在通过加强国内半导体供应链、加速前沿研发以及在全国范围内创造就业机会，来确保美国在半导体领域的全球领先地位。

此次拟议的EUV加速器设施，正是该计划的重要组成部分，它将汇集整个NSTC生态系统的成员，通过提供技术、能力和关键资源，加速半导体研发和创新。

商务部长吉娜·雷蒙多在宣布这一消息时表示：“通过这个第一个拟议的旗舰设施，CHIPS for America正在向NSTC提供尖端研究和工具，它的启动是确保美国在创新和半导体研发方面保持全球领先地位的一个重要里程碑。《芯片和科学法案》的研发部分对于我们的长期国家安全至关重要，它不仅确保美国能够生产世界上最先进的半导体，还帮助我们建立一个有弹性的生态系统，为从智能手机到先进人工智能的一切提供动力，从而维护美国的国家安全并保持美国在未来几十年的竞争力。”

国家经济顾问莱尔·布雷纳德也对此表示了赞赏：“拜登-哈里斯政府的这笔8.25亿美元投资，将巩固奥尔巴尼作为半导体创新和研发领域企业家、研究人员和工程师的世界级中心的领导地位。”

EUV光刻技术对于制造更小、更快、更高效的微芯片至关重要。随着半导体行业不断突破摩尔定律的极限，EUV光刻已成为实现7纳米以上晶体管大批量生产的关键技术。NSTC在开发能力和项目时，获得EUV光刻研发对于实现其扩大美国技术领先地位、减少原型设计时间和成本以及建立和维持半导体劳动力生态系统的主要目标至关重要。

美国商务部负责标准与技术的副部长兼国家标准与技术研究所所长Laurie E. Locascio指出：“NY CREATES拥有二十年在促进有效公私合作伙伴关系方面的成熟经验，以及自成立以来在半导体研发、制造和劳动力发展方面投资超过250亿美元的优势，这使其能够支持NSTC的使命，即提供一个开放的环境来加速研究，缩短商业化时间，并在美国发展可持续的半导体生态系统。”

Natcast首席执行官Deirdre Hanford表示：“CHIPS for America EUV加速器强调了我们对在美国开发和推进下一代半导体技术的承诺。通过与NY CREATES的合作，Natcast和NSTC成员将能够获得必要的EUV光刻工具和工艺，以促进更广泛的研究并加速未来技术的商业化。”

据悉，EUV加速器将于2025年投入运营，届时Natcast、NY CREATES和NSTC成员将能够协作开展研发活动，这对于加快创新半导体技术的商业化和加强美国的技术领先地位至关重要。EUV加速器的主要功能包括获得尖端的EUV光刻工具和下一代研发能力、召集并促进与行业、学术界和政府合作伙伴的合作、为Natcast和NSTC成员研究人员提供专门的现场办公室支持、支持人才队伍的培养和发展计划以及努力增加NSTC成员资格和参与度等。

美国CHIPS NSTC还在建设原型制作和国家先进封装制造计划（NAPMP）先进封装试点设施以及管理和设计设施。未来几个月内，该部门和Natcast还将公布有关选择附属技术中心的流程的信息。

Natcast和NY CREATES已签署了一份不具约束力的谅解备忘录（MOU），预计最终合同的期限为10年。然而，最终合同需要经过尽职调查、持续谈判和某些条款的完善，因此其中包含的条款可能与今天宣布的谅解备忘录的条款有所不同。