一个小小的散热问题,都可能成为制约高科技产品发展的瓶颈。想象一下,当你沉浸在高速5G网络带来的流畅视频体验中,或是驾驶着新能源汽车享受着智能驾驶的便捷时,背后默默支撑这些高科技产品的,可能正是一些看似不起眼,实则至关重要的材料。
今天,我们就来聊聊一种由我国科研团队研发的新型材料——双向高导热石墨膜,它或许将成为未来电子设备散热领域的“明星”。
提到散热,可能很多人首先想到的是风扇、散热片这些常见的散热设备。然而,在微电子领域,随着芯片集成度的不断提高,传统的散热方式已经难以满足日益增长的散热需求。
尤其是在5G通信、新能源汽车、航空航天等高科技领域,高功率器件产生的热量如果不能及时散发,不仅会影响设备的性能,甚至可能导致设备损坏,造成不可估量的损失。
正是在这样的背景下,中国科学院上海微系统所联合宁波大学团队,经过潜心研究,成功研发出了一种双向高导热石墨膜。这种材料究竟有何神奇之处呢?
简单来说,它就像是一块“超级导热板”,能够在水平和垂直两个方向上高效地传导热量,从而迅速将高功率器件产生的热量散发出去,保证设备的稳定运行。
那么,这种双向高导热石墨膜是如何实现如此高效的散热性能的呢?这背后离不开科研人员的智慧和创新。
他们摒弃了传统的氧化石墨烯或聚酰亚胺等前驱体材料,转而选用了一种名为芳纶膜的新型材料。芳纶膜具有低氧含量和氮掺杂的特性,这为石墨膜的制备提供了得天独厚的条件。
在高温处理过程中,芳纶膜中的氮原子能够促进晶格缺陷的修复,使得最终制备出的石墨膜具有更加完美的晶体结构,从而大大提高了其导热性能。
除了材料本身的创新外,科研人员还对制备工艺进行了优化。
他们通过精确控制高温处理过程中的温度、时间等参数,使得石墨膜在面内和面外两个方向上都实现了优异的导热性能。
实验数据显示,这种双向高导热石墨膜的面内热导率达到了1754 W/m·K,比传统的石墨膜提升了17%;而面外热导率更是突破了14.2 W/m·K,提升了118%,几乎接近了理想石墨AB堆叠结构的导热性能。
这种双向高导热石墨膜的问世,无疑为高功率器件的散热问题提供了一种全新的解决方案。
在实际应用中,它已经展现出了巨大的潜力。例如,在智能手机领域,搭载这种石墨膜的芯片表面温度可以显著降低,从而避免了因过热而导致的性能下降或设备损坏问题。
在高功率芯片领域,它更是能够在极端条件下保持芯片的稳定运行,为5G通信、新能源汽车等高科技领域的发展提供了有力保障。
值得一提的是,这种双向高导热石墨膜的研发成功,不仅具有重大的应用价值,还具有重要的学术意义。
它揭示了芳纶前驱体在石墨膜制备中的独特优势,为氮掺杂与低氧含量前驱体设计提供了理论依据。
同时,相关研究成果也已经发表在国际知名期刊《先进功能材料》上,得到了学术界的广泛认可。
随着规模化制备工艺的优化和成本的降低,这种双向高导热石墨膜有望在更多领域得到广泛应用。
它不仅将推动电子设备向更高功率密度、更小体积的方向发展,还将为解决“摩尔定律”物理极限带来的散热难题提供中国方案。