32度域
32度域获悉，近日，中微半导体设备（上海）股份有限公司宣布通过不断提升反应台之间气体控制的精度，ICP双反应台刻蚀机Primo Twin-Star?又取得新的突破，反应台之间的刻蚀精度已达到0.2A（亚埃级）。这一刻蚀精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蚀工艺上，均得到了验证。该精度约等于硅原子直径2.5埃的十分之一，是人类头发丝平均直径100微米的500万分之一(图1)。
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32度域获悉，近日，中微半导体设备（上海）股份有限公司宣布通过不断提升反应台之间气体控制的精度，ICP双反应台刻蚀机Primo Twin-Star?又取得新的突破，反应台之间的刻蚀精度已达到0.2A（亚埃级）。这一刻蚀精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蚀工艺上，均得到了验证。该精度约等于硅原子直径2.5埃的十分之一，是人类头发丝平均直径100微米的500万分之一(图1)。