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近期，媒体报道英飞凌两项电源领域合作。
5月20日，英飞凌公司表示，将与英伟达合作开发下一代电源系统，以革新未来人工智能数据中心所需的电力传输架构。英飞凌表示，该全新系统架构能显著提升数据中心内电能分配效率，并支持在服务器主板内直接为AI芯片（图形处理器GPU）进行电力转换。
同日，英飞凌官微发布消息表示，近期公司与深圳优优绿能股份有限公司深化合作，通过提供英飞凌先进的CoolMOS?和TRENCHSTOP? IGBT，CoolSiC? MOSFET和EiceDRIVER?驱动器等全套功率半导体解决方案，全面赋能优优绿能新一代高质量40kW/60kW独立风道充电模块、液冷充电模块以及V2G车网互动解决方案的技术升级，显著提升充换电设备的电能转换效率与稳定性，为充电行业的高质量发展注入新动能。
英飞凌表示，碳化硅器件与生俱来的高功率密度优势，能优化电路拓扑结构，有效减少线损，降低导通损耗和开关损耗，是打造高性能、轻量化、紧凑型充电解决方案的理想选择。通过采用英飞凌CoolSiC?碳化硅解决方案，优优绿能充电模块效率提升至97.5%以上。
在显著提升效率的同时，英飞凌CoolSiC?沟槽栅技术通过更厚的氧化层和更高的筛选电压，最大限度地降低了栅极氧化层缺陷率，保障了产品的可靠性。这种对碳化硅材料物理底层的深度理解，以及超过40年沟槽栅技术、沟槽底部电场均匀设计的长期积累，使得英飞凌在碳化硅领域提前占据了可靠性的领先地位。
随着新能源汽车充电需求向大功率、高频化方向升级，英飞凌CoolSiC?技术正以高效、可靠的双重优势，加速推动全球充电桩行业向高质量发展转型。
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