Watson
光刻机、光刻胶、真空系统等关键材料国产化率显著提升，已从个位数跃升至30%-80%区间，具体表现为：光刻机领域，2025年国产化率达18%，成熟制程（90nm）市占率超80%，上海微电子28nm DUV光刻机量产，中微公司28nm DUV光刻机国产化率60%并通过中芯国际验证，直写光刻设备在面板行业渗透率30%；光刻胶方面，2025年市场规模280亿元，半导体领域占比45%，南大光电ArF光刻胶良率60%，彤程新材ArF光刻胶通过14nm工艺认证，晶瑞电材G线光刻胶市占率30%，KrF光刻胶国产化率35%，ArF突破20%，EUV光刻胶进入中试验证；真空系统国产化率从不足5%提升至15%，通嘉宏瑞干式真空泵全国产化，汉钟精机半导体用真空泵产值增长超50%，2024年市场规模117.28亿元，2025年预计突破130亿元。
技术突破与政策支持双轮驱动：国家大基金三期投入3000亿元攻关EUV光源、双工件台等核心技术，光刻机企业所得税率降至10%，研发费用加计扣除比例150%，高端人才个税返还50%，长三角、珠三角形成产业集群，上海临港7nm试产线与华为海思合作，武汉长江存储7nm NAND闪存成本降低25%。
产业链协同方面，芯源微涂胶显影设备匹配28nm工艺，产能300片/小时，价格仅为进口设备60%，设备故障率从15%降至3%以下，推动国产设备市占率从2020年5%提升至2025年25%；南大光电实现KrF光刻胶树脂国产化，飞凯材料KrF级产品2025年上市，久日新材光引发剂部分替代，核心原料国产化率从2020年不足10%跃升至2025年50%，预计2030年达70%，成本降低40%。
尽管台积电已量产3nm并计划2025年推进2nm，中芯国际在晶体管密度、良率及毛利率上仍存差距，但通过多重图形化、先进封装（如Chiplet）及系统优化，在7nm级制程上实现性能与成本平衡，支撑国产CPU、GPU及AI芯片自主可控，为“弯道超车”积累技术储备。
