Watson 中国科学院上海光学精密机械研究所（以下简称“上海光机所”）宣布，由林楠研究员团队研发的固体激光驱动极紫外（EUV）光刻光源技术取得重大突破，成功绕过传统技术路径，开发出具有国际领先水平的LPP-EUV光源系统。这一成果标志着中国在EUV光刻机核心部件领域实现关键突破，为打破西方技术封锁、推动芯片生产自主化开辟了新路径。
EUV光刻技术是当前半导体制造领域的前沿技术，其核心在于波长仅13.5纳米的极紫外光，能够实现7纳米及以下制程芯片的精密刻蚀。然而，EUV光刻机的核心部件——激光等离子体（LPP）EUV光源长期被美国企业垄断，成为制约中国芯片产业发展的“卡脖子”环节。
上海光机所团队另辟蹊径，采用1微米固体激光器替代传统的二氧化碳激光器，成功激发锡等离子体产生EUV光。实验数据显示，该团队研发的固体激光驱动光源能量转换效率（CE）已达3.42%，超过荷兰、瑞士等国际团队水平，接近商用光源5.5%效率的一半。研究团队估算，其理论最大转换效率可达6%，未来通过技术优化有望进一步提升。
与传统二氧化碳激光器相比，固体激光器具有体积小、电光转换效率高（约20%）、运行成本低等优势。尽管目前该技术仍处于实验阶段，但其商业化潜力已引发行业关注。研究论文发表于《中国激光》杂志2025年第6期封面，被视为中国EUV光刻技术自主化的重要里程碑。
长期以来，全球EUV光刻机市场由荷兰ASML公司垄断，其设备依赖美国Cymer公司提供的二氧化碳激光驱动光源。由于美国对华技术出口管制，中国始终无法获取先进EUV光刻机，导致芯片制造工艺落后国际主流水平10-15年。
上海光机所的突破直接挑战了这一技术垄断。ASML首席财务官戴厚杰在近期投资者会议上承认，中国在EUV光源领域的进展“令人瞩目”，但仍认为商业化应用需数年时间。然而，中国市场的强劲需求已迫使ASML调整策略：2024年，中国成为ASML全球最大市场，贡献其营收的36.1%；2025年，ASML计划将中国区销售额占比维持在25%以上。
中国外交部此前回应称，美国胁迫他国对华科技封锁的行为违背国际贸易规则，破坏全球半导体产业链稳定。上海光机所的成果证明，通过自主创新突破技术壁垒，是中国芯片产业突围的必由之路。
此次技术突破的领军人物林楠研究员，拥有ASML研发科学家、光源技术负责人等履历，师从2023年诺贝尔物理学奖得主Anne L’Huillier院士，并在激光领域积累110余项国际专利。2021年，林楠回国加入上海光机所，迅速组建团队并搭建极紫外光源研发平台。
值得关注的是，该团队此前已在《激光与光电子学进展》杂志发表论文，提出基于空间束缚激光锡等离子体的极紫外光高效产生方案，转换效率达52.5%，创下全球极紫外波段最高纪录。这一成果为国产光刻量测设备提供了关键技术支持。