港媒:中国率先开始大规模生产非二进制AI芯片

港媒:中国率先开始大规模生产非二进制AI芯片

在全球芯片竞争愈发激烈的当下,一则来自中国科技领域的重磅消息引发了广泛关注。

据香港《南华早报》报道,中国在芯片技术领域取得了具有里程碑意义的突破,率先在全球范围内开启大规模应用非二进制AI芯片,将先进的混合计算技术深度融入航空、工业系统等关键领域,这一壮举不仅彰显了中国在芯片研发上的强大实力,也为全球芯片技术的发展注入了新的活力。

此次突破性成果的背后,是北京航空航天大学电子信息工程学院李洪革教授团队的不懈努力。该团队凭借深厚的专业知识和勇于创新的精神,成功研发出一款具有完全自主知识产权的开源RISC-V架构的高容错抗干扰、高能效的颠覆性计算芯片——混合概率计算SoC芯片。

这款芯片从数系表示、计算算法以及异构计算体系架构等多个关键层面实现了重大创新,为芯片技术的发展开辟了全新的道路。

长期以来,传统计算芯片技术一直面临着功耗墙和体系墙这两大难题。功耗墙问题主要体现在传统芯片无法摆脱二进制数信息携带效率与高功耗之间的矛盾。在当今数字化时代,芯片的应用场景日益广泛,对芯片的性能和功耗要求也越来越高。

然而,传统二进制芯片在提高信息携带效率的同时,往往伴随着高功耗的问题,这不仅增加了设备的使用成本,也限制了芯片在一些对功耗要求苛刻的领域的应用。

而体系墙问题则表现为非硅基芯片无法与传统CMOS芯片及其计算体系直接通信,这给芯片的集成和应用带来了诸多不便。

为了攻克这些难题,李洪革团队深入研究非二进制数的计算机理及芯片,经过无数次的试验和探索,提出了一种全新的二进制数和随机概率数表示的混合概率数(Hybrid Stochastic Numbe,HSN)。

这一创新性的概念首次分析并统一了二进制数、传统概率数以及混合概率数三种数系间的数理关系,构建了它们之间的数学表征,并深入分析了其高容错、抗干扰和高能效比等特性。

通过研究,团队成功开启了新计算范式构造的智能计算芯片,为硅基计算芯片解决功耗墙和体系墙问题奠定了坚实的基础。

目前,这项前沿技术正在加速转化落地,主要应用于触控识别、仪表显示、飞控计算等智能控制领域。在实际应用中,该芯片展现出了卓越的性能。

例如,在触控显示器和飞行系统等智能控制应用中,它实现了前所未有的容错能力和功耗效率,大大提高了系统的稳定性和可靠性。同时,这一技术的突破也成功规避了美国的芯片限制,为中国在关键领域的自主发展提供了有力保障。

值得一提的是,李洪革团队并未满足于现有的成果,而是继续砥砺前行。他们正在深入研究混合概率计算专属扩展指令集及其微架构,致力于开发语音图像处理、智能计算(含大模型AI加速)以及各种复杂计算等功能。

据悉,片上专用算子时延在微秒级,能够满足专用硬件计算和灵活可变软件计算的多重需求,为未来的智能计算应用提供了更广阔的空间。

近年来,美国政府不断收紧对华芯片出口限制,试图打压遏制中国半导体产业的发展。然而,这种打压并没有让中国半导体产业退缩,反而激发了中国科研人员的斗志,加快了中国半导体产业的成长步伐,自主研发能力显著增强。

正如《纽约时报》6月5日报道,荷兰光刻机巨头阿斯麦(ASML)首席执行官傅恪礼在接受采访时所言,尽管中国在赶超ASML的技术方面还有很长的路要走,但美国出台的打压措施只会适得其反,让中国“更努力取得成功”。

英伟达首席执行官黄仁勋也曾表示,无论有没有美国芯片,中国AI行业都将继续发展。

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上一篇 2025年6月18日 08:54

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  • 芯片及半导体

    高介电常数材料如何重塑未来芯片

    这是一场持续了半个世纪的半导体微型化竞赛,当晶体管尺寸逼近物理极限,当漏电流问题日益严峻,当传统二氧化硅绝缘层已无法满足需求——整个行业都在寻找那个能继续推动晶体管缩小的"魔法材料"。而高介电常数材料(High-k dielectrics)的出现,不仅解决了这一燃眉之急,更在悄然间改写了半导体制造的底层逻辑。

    想象一下你手中的海绵:吸水能力强的海绵能储存更多水分,而介电常数高的材料则能储存更多电荷。这种类比虽不完美,却生动地揭示了高介电常数材料的本质特性。在半导体世界中,这个"储电能力"直接关系到晶体管的性能表现。

    传统上,二氧化硅(SiO₂)一直是晶体管栅极绝缘层的标准选择,其介电常数约为3.9。然而随着晶体管尺寸缩小到纳米级别,这层"绝缘海绵"变得越来越薄——当厚度降至1纳米左右时,原本被严格限制的量子隧穿效应开始显现,导致大量电子"漏网",不仅浪费电能,还产生不必要的热量。这就像试图用越来越薄的保鲜膜覆盖越来越小的蛋糕,最终必然会出现无法阻止的泄漏。

    高介电常数材料的出现提供了完美解决方案。以氧化铪(HfO₂)为例,其介电常数高达25,是二氧化硅的六倍多。这意味着在保持相同电容值(即相同电荷储存能力)的情况下,可以使用更厚的物理层来替代传统的薄二氧化硅层。这种"以厚代薄"的策略巧妙地绕过了量子隧穿问题,让晶体管继续缩小成为可能。

    高k材料延续芯片缩小技术

    英特尔在其22纳米工艺节点首次大规模采用高k金属栅极技术时,标志着半导体行业进入了一个新时代。这一创新不仅解决了漏电流问题,更为后续的14纳米、10纳米乃至7纳米工艺铺平了道路。正如英特尔资深工程师所言:"没有高k材料,我们不可能将晶体管缩小到今天的水平。"

    这种材料的革命性影响体现在多个维度。首先,它允许晶体管尺寸持续缩小而不牺牲性能或增加功耗。其次,通过优化栅极堆叠结构,高k材料显著提高了晶体管的开关速度和能源效率。在移动设备领域,这意味着更长的电池续航时间;在数据中心,这代表着更低的运营成本;而在人工智能应用中,则转化为更强的计算能力。

    有趣的是,高k材料的引入还催生了一系列配套技术创新。原子层沉积(ALD)技术的成熟就是典型案例——这种能够精确控制原子级薄膜生长的工艺,正是实现高k材料均匀覆盖的关键。可以说,高k材料与先进制造工艺形成了良性互动,共同推动了半导体技术的进步。

    当我们谈论高k材料时,不应局限于氧化铪这一种物质。这个家族正在不断壮大,每种新成员都带来独特的性能特点和应用场景。

    氧化锆(ZrO₂)是氧化铪的近亲,其介电常数同样出色,且在某些工艺条件下表现出更好的热稳定性。五氧化二钽(Ta₂O₅)则以其极高的介电常数(约27-30)引人注目,特别适合对电容密度要求极高的应用。三氧化二铝(Al₂O₃)虽然介电常数相对较低(约8-9),但其优异的绝缘性能和化学稳定性使其在特定场合不可或缺。就连稀土元素氧化物如三氧化二钇(Y₂O₃)也被纳入研究范围,为未来材料选择提供了更多可能性。

    材料科学家们正像炼金术士一样,在元素周期表中寻找理想的组合。他们不仅要考虑介电常数这一核心指标,还要权衡热稳定性、工艺兼容性、界面质量等多重因素。这种全方位的评估使得高k材料的选择成为一门精妙的艺术,而非简单的参数对比。

    高k材料的应用困境与突破

    任何革命性技术的普及都伴随着挑战,高k材料也不例外。最大的难题在于与传统硅基工艺的兼容性。这些外来者往往需要特殊的沉积工艺和界面工程处理,才能与硅沟道形成理想的接触。此外,某些高k材料在高温下的稳定性问题也限制了其在特定应用中的使用。

    但正是这些挑战激发了创新的火花。研究人员开发出新型界面层材料来改善硅-高k界面质量;工艺工程师改进了沉积参数以实现更均匀的薄膜生长;材料科学家则在探索复合高k材料体系,试图结合多种材料的优势。这种持续的创新循环推动着高k技术不断向前发展。

    尤其是在传统逻辑芯片领域上面,在存储器、功率器件甚至新兴的二维材料晶体管中,都能看到高k材料的身影。这种跨领域的适应性预示着其巨大的市场潜力。

    未来的高k材料

    高k材料的引入无疑是半导体史上最重要的转折点之一。它不仅延长了摩尔定律的寿命,更重塑了整个行业的创新路径。展望未来,随着新材料、新工艺的不断涌现,高k材料的应用将更加广泛和深入。

    在人工智能、物联网、5G通信等新兴技术的驱动下,半导体行业对高性能、低功耗器件的需求将持续增长。高k材料作为实现这一目标的关键使能技术,其重要性只会与日俱增。或许有一天,我们会忘记曾经使用过二氧化硅的时代——就像我们现在很难想象没有晶体管的电子设备一样。

    这场由高k材料引领的半导体革命仍在继续。科技创新永无止境,而每一次突破背后,都是人类对极致性能的不懈追求。在这个意义上,高k材料不仅是技术进步的产物,更是推动进步的动力源泉。未来已来,而高k材料将继续在其中扮演不可替代的角色。

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    2025年5月28日
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