Watson 在半导体存储技术持续突破的背景下，美国NEO半导体公司于2025年正式推出全球首款基于3D堆叠技术的X-DRAM内存芯片，标志着DRAM产业正式迈入三维集成时代。这项技术通过垂直堆叠230层存储单元，将单颗芯片容量提升至128Gb，较传统2D DRAM实现8倍密度飞跃，为人工智能、高性能计算等领域带来革命性解决方案。
NEO的3D X-DRAM技术核心在于对3D NAND闪存架构的创新性移植。不同于传统2D DRAM通过平面微缩提升容量，3D X-DRAM采用类似FBC（Floating Body Cell）技术的垂直通道设计，仅需增加一道光罩工艺即可形成三维存储阵列。这种架构突破使得单颗芯片集成230层存储单元，单位面积容量达128Gb，而传统2D DRAM仅16Gb，依托现有3D NAND生产线改造，良率提升至90%以上，较传统DRAM降低40%制造成本，通过IGZO（铟镓锌氧化物）材料优化，数据保留时间延长至450秒，刷新功耗降低90%。
首款3D X-AI芯片集成神经电路层，在128GB内存中嵌入8000个神经元计算单元，实现存储与计算的深度融合，单芯片AI运算能力达10TB/s，12颗芯片堆叠后系统吞吐量突破120TB/s，较传统HBM方案提升100倍，通过内存内计算（In-Memory Computing）架构，减少99%数据搬运功耗，典型AI推理场景能效比达50TOPS/W，300层垂直存储阵列与单层神经电路层协同，支持LSTM、Transformer等复杂模型原生执行，打破“存储墙”限制。
NEO规划每十年将3D X-DRAM容量提升8倍，目标2035年实现1Tb（128GB）核心容量。随着混合键合（Hybrid Bonding）技术的成熟，3D X-DRAM有望与逻辑芯片实现3D异质集成，催生存算一体（CIM）芯片等全新物种。这场始于存储架构的革命，正推动半导体产业向“超越摩尔”时代加速演进。