美光科技公司于6月4日宣布，率先推出基于第六代10nm级制程的LPDDR5x DRAM内存，命名为1γ（1-gamma），其数据传输速率高达10.7Gbps（准确值为10667MT/s），在业界中处于领先地位。与前一代1β产品相比，新款内存在功耗上节省了20%。
此外，1γ LPDDR5x的DRAM模块厚度仅为0.61mm，较1β产品降低了14%，并且比竞争对手的产品薄6%，这为超薄和折叠屏智能手机的设计提供了更大的灵活性。美光的1γ制程是其首个采用EUV（极紫外光）技术的DRAM内存工艺，之前已在DDR5内存中应用。
目前，美光已向指定合作伙伴提供16GB封装容量的样品，并计划推出从8GB到32GB的多种容量选项，预计将在2026年的旗舰智能手机中使用。
瓦伊什瑙表示：“到2031-2032年，印度在半导体领域的整体实力将追上许多国家目前的水平，届时全球竞争将真正站上同一起跑线。”
虽然说印度的半导体产业仍处于起步阶段，但政府正通过总额约100亿美元（约合711亿元人民币）的专项基金积极吸引芯片设计、制造与封测企业落地。
目前，印度半导体生态已初步成形。
美光科技已在古吉拉特邦——印度总理莫迪的家乡——建立封装测试工厂，而塔塔集团也已成为国内十家计划投入硅材料生产的企业之一。
这些进展被视为印度构建本土半导体供应链的关键步骤。
而且瓦伊什瑙透露，印度国内三座芯片制造工厂预计将在明年年初进入商业量产阶段。他表示，随着印度本土半导体计划的推进，加上其庞大的工程设计人才储备和日益完善的设计生态，产业正逐步进入“私人资本愿意主动投入”的新阶段。
在全球范围内，各国正竞相扩大本土芯片产能，以确保在人工智能、自动驾驶等未来关键技术中掌握供应链自主权。
印度也希望复制其在智能手机制造领域的成功经验——即通过政策引导与市场开放，吸引苹果及其供应链伙伴在印度大规模生产iPhone——进一步推动芯片制造巨头落地印度，构建从材料到制造的完整产业闭环。
尽管与领先国家和地区相比仍有差距，但印度正通过资金投入、政策扶持与全球合作三轨并进，力图在全球半导体版图中占据一席之地。
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