7月25日晚间，南大光电发布公告称，公司董事会近日收到公司副总裁陈化冰先生提交的书面辞职报告，其因个人原因申请辞去公司副总裁职务，辞职后不再担任公司任何职务。
南大光电成立于2000年，是一家诞生于国家 “863 计划” 的高纯电子材料领军企业。公司围绕前驱体材料、电子特气和光刻胶形成三大核心业务布局，产品广泛应用于 IC、LCD 等领域。依托多个自主创新平台，南大光电完成多项国家、省市重大专项，拥有 175 项专利。其 MO 源产品市占率曾达全球第一，电子特气和 ArF 光刻胶也颇具优势。
陈化冰先生，1969年出生，中国国籍，南京大学硕士，高级工程师，在国家863计划新材料MO源研究开发中心从事MO源研发工作，2002年起先后任公司技术总监助理、营销部经理、副总裁、董事、副总裁。
瓦伊什瑙表示：“到2031-2032年，印度在半导体领域的整体实力将追上许多国家目前的水平，届时全球竞争将真正站上同一起跑线。”
虽然说印度的半导体产业仍处于起步阶段，但政府正通过总额约100亿美元（约合711亿元人民币）的专项基金积极吸引芯片设计、制造与封测企业落地。
目前，印度半导体生态已初步成形。
美光科技已在古吉拉特邦——印度总理莫迪的家乡——建立封装测试工厂，而塔塔集团也已成为国内十家计划投入硅材料生产的企业之一。
这些进展被视为印度构建本土半导体供应链的关键步骤。
而且瓦伊什瑙透露，印度国内三座芯片制造工厂预计将在明年年初进入商业量产阶段。他表示，随着印度本土半导体计划的推进，加上其庞大的工程设计人才储备和日益完善的设计生态，产业正逐步进入“私人资本愿意主动投入”的新阶段。
在全球范围内，各国正竞相扩大本土芯片产能，以确保在人工智能、自动驾驶等未来关键技术中掌握供应链自主权。
印度也希望复制其在智能手机制造领域的成功经验——即通过政策引导与市场开放，吸引苹果及其供应链伙伴在印度大规模生产iPhone——进一步推动芯片制造巨头落地印度，构建从材料到制造的完整产业闭环。
尽管与领先国家和地区相比仍有差距，但印度正通过资金投入、政策扶持与全球合作三轨并进，力图在全球半导体版图中占据一席之地。
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