不沉默集成 近日，业内消息传来，三星电子在3D NAND闪存生产的光刻工艺上取得了重要进展，成功大幅减少了光刻胶的使用量。这家韩国半导体巨头已经规划好了未来的NAND生产蓝图，目标是将光刻胶的使用量直接减半。
据了解，以往三星在生产过程中，每层涂料需要使用7到8CCS的光刻胶，而现在这一数字已经降低到了4到4.5CCS左右。这一显著变化得益于三星对纺丝速度（RPM）的精准控制以及对蚀刻过程的进一步优化。而三星之所以要减少光刻胶的使用，主要是为了降低NAND闪存的生产成本。
长期以来，三星一直采用厚薄适中的氟化物（KRF）光刻胶来生产3D NAND，因为这种光刻胶在层沉积方面具有显著优势，能够同时形成多层结构，从而提高生产效率。然而，高粘度的厚光刻胶在涂层均匀性方面却存在一定的挑战。
为了解决这一难题，同时保持厚光刻胶的优势，三星早在2013年就开始与东进展开合作，并成功推出了3D NAND产品。东进科技公司作为三星KRF光刻胶的独家供应商，提供了独特的配方，为存储芯片行业树立了新的标杆。三星在生产中所使用的光刻胶厚度为11微米，GR7更是达到了14微米，这种较厚的涂层带来了明显的优势。
随着三星即将推出全新的93D NAND产品，减少光刻胶的使用量将与不断提升的纺纱和蚀刻技术相结合。预计这一变革每年将为三星节省数百亿韩元的成本。然而，对于东进半导体来说，这却带来了不小的挑战，因为三星是其最大的客户之一，光刻胶订单的减少可能会对其业绩产生影响。目前，东进半导体每年从光刻胶销售中获得约2500亿韩元的收入，其中约60%来自三星。
面对三星的成本削减举措，东进半导体董事长李博盛呼吁其原材料供应商也积极寻求节约成本的方法。这一变化表明，随着芯片生产和价格压力的不断变化，供应链将进行新的调整和优化。
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