据报道,据业内人士透露,SK海力士正在研发高带宽存储(HBS)技术,该技术最多可堆叠16个DRAM和NAND闪存模块,并通过垂直导线扇出(VFO)连接,从而提高数据处理速度,有望让未来的智能手机和平板电脑具备更强大的AI算力。(财联社)
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据报道,据业内人士透露,SK海力士正在研发高带宽存储(HBS)技术,该技术最多可堆叠16个DRAM和NAND闪存模块,并通过垂直导线扇出(VFO)连接,从而提高数据处理速度,有望让未来的智能手机和平板电脑具备更强大的AI算力。(财联社)