天锐星通获战略融资,以技术实力领航相控阵产业新征程

天锐星通获战略融资,以技术实力领航相控阵产业新征程

近日,毫米波相控阵芯片生产领域的佼佼者——成都天锐星通科技股份有限公司(以下简称“天锐星通”)成功获得战略融资,此次融资吸引了浦东创投集团等投资方的积极参与,为天锐星通的未来发展注入了强劲动力。

天锐星通与浦东新区渊源颇深,早已在该区域布局毫米波相控阵技术研发中心及产业化项目。这一战略布局不仅彰显了天锐星通对浦东新区产业环境的认可,更体现了其致力于提升技术攻关能力与产业化水平的决心。通过与当地资源的深度协同,天锐星通正积极构建卫星互联网产业创新生态,为行业发展注入新的活力。

天锐星通成立于2013年7月,自成立以来便深耕相控阵技术领域。经过十余年的不懈研发与积累,公司已构建起涵盖核心模组、天线及测试系统的完整技术链条,在关键技术自主创新方面取得了扎实进展。其技术实力不仅得到了市场的广泛认可,还荣获了国家技术发明二等奖、中国电子学会技术发明一等奖等一系列重要奖项,成为行业内名副其实的技术标杆。

在产品研发与量产方面,天锐星通成绩斐然。截至目前,公司已成功研发量产芯片30余款,天线阵面60余款。其产品体系丰富多样,涵盖毫米波芯片、相控阵天线及测试系统,实现了全产业链布局,核心技术自主可控。在相控阵通信领域,天锐星通更是连续承担3项国家级重点项目和多项省部级重点专项,项目成果经鉴定处于国际领先水平,为我国相控阵通信技术的发展做出了重要贡献。

知识产权是企业创新能力和核心竞争力的重要体现。截至2025年5月,天锐星通在相控阵领域已获得授权发明专利124项,实用新型专利65项,外观专利21项,软件著作权22项,国际专利3项,集成电路布图11项。这些知识产权的积累,不仅为天锐星通的技术创新提供了有力保障,也为公司在市场竞争中赢得了主动权。

此次获得战略融资,将为天锐星通的技术研发、市场拓展和产业化进程提供更加充足的资金支持。公司相关负责人表示,未来天锐星通将继续加大在相控阵技术领域的研发投入,不断提升产品性能和质量,拓展应用场景,为客户提供更加优质的产品和服务。同时,公司还将加强与产业链上下游企业的合作,共同推动相控阵产业的发展,为我国卫星互联网产业的建设和发展贡献更多力量。

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  • 芯片及半导体

    高介电常数材料如何重塑未来芯片

    这是一场持续了半个世纪的半导体微型化竞赛,当晶体管尺寸逼近物理极限,当漏电流问题日益严峻,当传统二氧化硅绝缘层已无法满足需求——整个行业都在寻找那个能继续推动晶体管缩小的"魔法材料"。而高介电常数材料(High-k dielectrics)的出现,不仅解决了这一燃眉之急,更在悄然间改写了半导体制造的底层逻辑。

    想象一下你手中的海绵:吸水能力强的海绵能储存更多水分,而介电常数高的材料则能储存更多电荷。这种类比虽不完美,却生动地揭示了高介电常数材料的本质特性。在半导体世界中,这个"储电能力"直接关系到晶体管的性能表现。

    传统上,二氧化硅(SiO₂)一直是晶体管栅极绝缘层的标准选择,其介电常数约为3.9。然而随着晶体管尺寸缩小到纳米级别,这层"绝缘海绵"变得越来越薄——当厚度降至1纳米左右时,原本被严格限制的量子隧穿效应开始显现,导致大量电子"漏网",不仅浪费电能,还产生不必要的热量。这就像试图用越来越薄的保鲜膜覆盖越来越小的蛋糕,最终必然会出现无法阻止的泄漏。

    高介电常数材料的出现提供了完美解决方案。以氧化铪(HfO₂)为例,其介电常数高达25,是二氧化硅的六倍多。这意味着在保持相同电容值(即相同电荷储存能力)的情况下,可以使用更厚的物理层来替代传统的薄二氧化硅层。这种"以厚代薄"的策略巧妙地绕过了量子隧穿问题,让晶体管继续缩小成为可能。

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    英特尔在其22纳米工艺节点首次大规模采用高k金属栅极技术时,标志着半导体行业进入了一个新时代。这一创新不仅解决了漏电流问题,更为后续的14纳米、10纳米乃至7纳米工艺铺平了道路。正如英特尔资深工程师所言:"没有高k材料,我们不可能将晶体管缩小到今天的水平。"

    这种材料的革命性影响体现在多个维度。首先,它允许晶体管尺寸持续缩小而不牺牲性能或增加功耗。其次,通过优化栅极堆叠结构,高k材料显著提高了晶体管的开关速度和能源效率。在移动设备领域,这意味着更长的电池续航时间;在数据中心,这代表着更低的运营成本;而在人工智能应用中,则转化为更强的计算能力。

    有趣的是,高k材料的引入还催生了一系列配套技术创新。原子层沉积(ALD)技术的成熟就是典型案例——这种能够精确控制原子级薄膜生长的工艺,正是实现高k材料均匀覆盖的关键。可以说,高k材料与先进制造工艺形成了良性互动,共同推动了半导体技术的进步。

    当我们谈论高k材料时,不应局限于氧化铪这一种物质。这个家族正在不断壮大,每种新成员都带来独特的性能特点和应用场景。

    氧化锆(ZrO₂)是氧化铪的近亲,其介电常数同样出色,且在某些工艺条件下表现出更好的热稳定性。五氧化二钽(Ta₂O₅)则以其极高的介电常数(约27-30)引人注目,特别适合对电容密度要求极高的应用。三氧化二铝(Al₂O₃)虽然介电常数相对较低(约8-9),但其优异的绝缘性能和化学稳定性使其在特定场合不可或缺。就连稀土元素氧化物如三氧化二钇(Y₂O₃)也被纳入研究范围,为未来材料选择提供了更多可能性。

    材料科学家们正像炼金术士一样,在元素周期表中寻找理想的组合。他们不仅要考虑介电常数这一核心指标,还要权衡热稳定性、工艺兼容性、界面质量等多重因素。这种全方位的评估使得高k材料的选择成为一门精妙的艺术,而非简单的参数对比。

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    2025年5月28日
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