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英诺赛科近日宣布其8英寸氮化镓晶圆产能提升计划，预计2025年底月产能将从当前的13000片提升至20000片，并计划在未来五年内进一步扩大至70000片。这一举措不仅标志着英诺赛科在氮化镓功率半导体领域的持续深耕，也预示着半导体行业将迎来新一轮的技术革新与产能升级。
英诺赛科作为全球氮化镓功率半导体领域的领军企业，采用IDM（设计-制造-封测一体化）模式，拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆量产线。其产品覆盖从低压到高压（15V-1200V）的全电压谱系，广泛应用于消费电子、新能源汽车、数据中心等领域。此次产能提升计划，得益于公司在8英寸晶圆制造工艺上的成熟化以及对良率的持续优化。目前，英诺赛科的晶圆良率已超过95%，显著高于行业平均水平，为产能的稳步提升提供了有力保障。
氮化镓（GaN）作为一种第三代半导体材料，具有高频、低损耗、高性价比等优势。与硅基功率半导体相比，氮化镓器件能提供最高40%的性能提升和30%的成本节省。英诺赛科通过扩大8英寸晶圆的产能，利用8英寸晶圆相较于6英寸晶圆在成本和生产效率上的优势，实现了单位制造成本的降低。同时，高良率也进一步摊薄了固定成本，提升了规模效应。
从行业影响来看，英诺赛科的产能提升计划将巩固其在氮化镓功率半导体市场的领先地位。随着全球氮化镓功率器件市场规模的爆发式增长，英诺赛科有望充分受益于此轮产业增长。此外，台积电退出氮化镓代工业务、英飞凌推进12英寸氮化镓晶圆计划等行业动态，也为英诺赛科提供了更大的市场发展空间。英诺赛科坚持聚焦8英寸产线工程化成熟度，通过产能扩张和良率提升，降低成本，巩固竞争优势，有望在氮化镓功率半导体市场占据更加重要的地位。
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